{"product_id":"amo-scientific-2-inch-n-type-silicon-carbide-sic-wafer","title":"2 Inch N-Type 4H-SiC Wafer | 50.8 mm Silicon Carbide Substrate","description":"\u003ch3\u003e\u003cspan\u003e2 Inch N-Type 4H-SiC Wafer\u003c\/span\u003e\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e\u003cspan\u003eAMO Scientific offers \u003c\/span\u003e\u003cstrong\u003e\u003cspan\u003e2 inch \/ 50.8 mm N-type 4H silicon carbide (4H-SiC) wafers\u003c\/span\u003e\u003c\/strong\u003e\u003cspan\u003e for semiconductor research, epitaxial growth, power electronics, RF devices, and high-temperature applications.\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003cspan\u003eThese nitrogen-doped 4H-SiC substrates are available in \u003c\/span\u003e\u003cstrong\u003e\u003cspan\u003eproduction and dummy grades\u003c\/span\u003e\u003c\/strong\u003e\u003cspan\u003e with a standard thickness of \u003c\/span\u003e\u003cstrong\u003e\u003cspan\u003e330 ± 25 µm\u003c\/span\u003e\u003c\/strong\u003e\u003cspan\u003e. The N-type wafers feature electrical resistivity of \u003c\/span\u003e\u003cstrong\u003e\u003cspan\u003e0.012–0.028 Ω·cm\u003c\/span\u003e\u003c\/strong\u003e\u003cspan\u003e and are available with a \u003c\/span\u003e\u003cstrong\u003e\u003cspan\u003e4° off-axis orientation toward \u0026lt;11-20\u0026gt;\u003c\/span\u003e\u003c\/strong\u003e\u003cspan\u003e.\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e\u003cspan\u003eKey Features\u003c\/span\u003e\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cp\u003e\u003cspan\u003e2 inch \/ 50.8 mm 4H-SiC wafer\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cp\u003e\u003cspan\u003eN-type conductivity\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cp\u003e\u003cspan\u003eNitrogen doped\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cp\u003e\u003cspan\u003e330 ± 25 µm thickness\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cp\u003e\u003cspan\u003e4° off-axis toward \u0026lt;11-20\u0026gt;\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cp\u003e\u003cspan\u003eResistivity: 0.012–0.028 Ω·cm\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cp\u003e\u003cspan\u003eSi-face CMP surface\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cp\u003e\u003cspan\u003eC-face optical polish\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cp\u003e\u003cspan\u003eProduction and dummy grades available\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cp\u003e\u003cspan\u003eCustom SiC wafer specifications available\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e\u003cspan\u003eApplications\u003c\/span\u003e\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cp\u003e\u003cspan\u003ePower MOSFETs\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cp\u003e\u003cspan\u003eSchottky barrier diodes\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cp\u003e\u003cspan\u003ePower modules\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cp\u003e\u003cspan\u003eEV power electronics\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cp\u003e\u003cspan\u003eFast charging systems\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cp\u003e\u003cspan\u003eSolar inverters\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cp\u003e\u003cspan\u003eRF and microwave devices\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cp\u003e\u003cspan\u003eHigh-temperature electronics\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cp\u003e\u003cspan\u003eSiC epitaxial growth\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cp\u003e\u003cspan\u003eSemiconductor research\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e\u003cspan\u003eSpecifications\u003c\/span\u003e\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003cth\u003e\u003cspan\u003eSpecification\u003c\/span\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003cth\u003e\u003cspan\u003eDetails\u003c\/span\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cstrong\u003e\u003cspan\u003eMaterial\u003c\/span\u003e\u003c\/strong\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cspan\u003e4H Silicon Carbide (4H-SiC)\u003c\/span\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cstrong\u003e\u003cspan\u003eConductivity Type\u003c\/span\u003e\u003c\/strong\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cspan\u003eN-Type\u003c\/span\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cstrong\u003e\u003cspan\u003eDopant\u003c\/span\u003e\u003c\/strong\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cspan\u003eNitrogen\u003c\/span\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cstrong\u003e\u003cspan\u003eDiameter\u003c\/span\u003e\u003c\/strong\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cspan\u003e50.8 ± 0.38 mm\u003c\/span\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cstrong\u003e\u003cspan\u003eThickness\u003c\/span\u003e\u003c\/strong\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cspan\u003e330 ± 25 µm\u003c\/span\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cstrong\u003e\u003cspan\u003eWafer Orientation\u003c\/span\u003e\u003c\/strong\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cspan\u003e4° off-axis toward \u0026lt;11-20\u0026gt; ± 0.5°\u003c\/span\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cstrong\u003e\u003cspan\u003eElectrical Resistivity\u003c\/span\u003e\u003c\/strong\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cspan\u003e0.012–0.028 Ω·cm\u003c\/span\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cstrong\u003e\u003cspan\u003eProduction Grade MPD\u003c\/span\u003e\u003c\/strong\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cspan\u003e≤ 2 cm⁻²\u003c\/span\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cstrong\u003e\u003cspan\u003eDummy Grade MPD\u003c\/span\u003e\u003c\/strong\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cspan\u003e≤ 50 cm⁻²\u003c\/span\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cstrong\u003e\u003cspan\u003ePrimary Flat\u003c\/span\u003e\u003c\/strong\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cspan\u003e{10-10} ± 5.0°\u003c\/span\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cstrong\u003e\u003cspan\u003ePrimary Flat Length\u003c\/span\u003e\u003c\/strong\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cspan\u003e16.0 ± 1.7 mm\u003c\/span\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cstrong\u003e\u003cspan\u003eSecondary Flat Length\u003c\/span\u003e\u003c\/strong\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cspan\u003e8.0 ± 1.7 mm\u003c\/span\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cstrong\u003e\u003cspan\u003eSecondary Flat Orientation\u003c\/span\u003e\u003c\/strong\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cspan\u003e90° CW from primary flat ± 5.0°\u003c\/span\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cstrong\u003e\u003cspan\u003eEdge Exclusion\u003c\/span\u003e\u003c\/strong\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cspan\u003e1 mm\u003c\/span\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cstrong\u003e\u003cspan\u003eC-Face Surface\u003c\/span\u003e\u003c\/strong\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cspan\u003eOptical polish, Ra \u0026lt; 1 nm\u003c\/span\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cstrong\u003e\u003cspan\u003eSi-Face Surface\u003c\/span\u003e\u003c\/strong\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cspan\u003eCMP, Ra \u0026lt; 0.5 nm\u003c\/span\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/tbody\u003e\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e\u003cspan\u003eCustom Silicon Carbide Wafers\u003c\/span\u003e\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e\u003cspan\u003eAMO Scientific can provide customized SiC wafers with different diameters, conductivity types, orientations, thicknesses, grades, and polishing specifications.\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003cspan\u003ePlease contact us with your required SiC wafer specifications.\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cdiv class=\"table-wrapper\"\u003e\u003c\/div\u003e","brand":"AMO Scientific","offers":[{"title":"Production","offer_id":42426044285010,"sku":"AMO-SiC-0001","price":609.0,"currency_code":"USD","in_stock":true},{"title":"Dummy","offer_id":42426044350546,"sku":"AMO-SiC-0002","price":549.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0596\/3644\/9362\/files\/2inch4HNtypesiliconcarbidewafer.png?v=1794368097","url":"https:\/\/www.amoscientific.com\/products\/amo-scientific-2-inch-n-type-silicon-carbide-sic-wafer","provider":"AMO Scientific","version":"1.0","type":"link"}